南通欧冠体育平台电子实业有限公司
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联系方式：13906290558
销售总监：张周建 先生
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地址：江苏省南通市港闸区集美路398号
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开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响�？缃釉诠β拾氲继迤骷蕉说睦擞康缪贡；さ缛萜鳎ㄈ�EPCOSB32620-J或B32651..56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。
在额定电压值高达2000VDC的条件下，典型的电容额定值在470PF～47NF之间。对于大功率的半导体器件，如IGBT，电容值可高达2.2ΜF，电压在1200VDC的范围内。不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的DV/DT值。耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此，应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。
